AUTOSAR_BSW Memory

1、ROM存储方式

• EEPROM：可以按位操作
  

• FLASH防EEPROM：相同大小容量下FLASH价格相对便宜一些，但是只能按块擦写，不能按位擦写。想要让FLASH做到按位擦写，就需要先将FALSH原来的数据备份一份，再修改其中想要修改的位，再按块擦除，最后将该改写好的数据再烧录回原块中
  

• 存储可以片内，也可以片外的

2、详细说明

• NVRAM Manager（NVM）：
  

  • 应用层访问非易失性数据的唯一接口，提供非易失性的管理服务
    

  • NVM模块上层是RTE，下层是对接FALSH Driver或者EEPROM Driver的接口
    

  • NVM里面的数据读写有两种同步机制：Implicit synchronization（隐式同步） 和Explicit synchronization（显式同步）
    

• EEPROM Abstraction（EA）：EEPROM的抽象层，主要作用就是进一步封装片外或片内EEPROM驱动，给上层提供统一的API接口
  

• FALSH EEPROM EMulation：同上，此为FALSH
  

• External E² Drv：ECU抽象层中片外EEPPROM的驱动，下面是SPI的驱动，由于片外的EEPROM要通过SPI通信才能访问。因此，片外EEPROM的驱动要放到ECU抽象层中

• SPI Handler Drv：MCAL中对片上SPI的驱动
  

• SPI EEPROM FLASH：片内的SPI、EEPROM和FALSH功能模块
  

• External E² Memory：片外EEPROM，就是板载的EEPROM，需要SPI访问

3、流程

• 片内存储

• 片外存储